三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前的 20%

根据路透社报道，三星电子的一位高层透露，预计到明年，高带宽内存（HBM）将占据各DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，相比当前约20%的比例有所提升。

三星电子（SSNLF）执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）指出，HBM与普通DRAM会争夺晶圆产能。这意味着增加HBM的产量，可能会对标准DRAM的供应造成压力。

据了解，HBM是AI计算中的核心组件，由多层存储芯片垂直堆叠而成，使处理器能以极快速度读取大量数据。目前，这一市场主要由韩国的SK海力士、三星电子以及美国的美光科技三家企业主导。